EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8915 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
29 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
19 руб.
от 150 шт. —
17 руб.
от 500 шт. —
14.73 руб.
5 шт.
на сумму 145 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 8000 |
| Fall Time | 10 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 300 mA |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | EM6K6 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
| Rise Time | 10 ns |
| Series | EM6K6 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Вес, г | 0.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
