FF225R17ME7B11BPSA1 IGBT Module, 225 A 1700 V
![FF225R17ME7B11BPSA1 IGBT Module, 225 A 1700 V](https://static.chipdip.ru/lib/335/DOC026335328.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 940 руб.
1 шт.
на сумму 46 940 руб.
Плати частями
от 11 735 руб. × 4 платежа
от 11 735 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon EconoDUAL™ 3 1700 V, 225 A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1700 V |
Maximum Continuous Collector Current | 225 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Number of Transistors | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 686 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем