FP100R12N3T7BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 400 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 444 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FP100 series is a EconoPIM 3 module with IGBT and Emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 100А |
| DC Ток Коллектора | 100А |
| Power Dissipation | - |
| Выводы БТИЗ | Solder |
| Конфигурация БТИЗ | PIM Three Phase Input Rectifier |
| Линейка Продукции | EconoPIM 3 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
| Рассеиваемая Мощность | - |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT7(Trench Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1522 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
