FP50R12N2T7PBPSA1 IGBT, 50 A 1200 V
![FP50R12N2T7PBPSA1 IGBT, 50 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/216/DOC026216804.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43 250 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 250 руб.
Плати частями
от 10 814 руб. × 4 платежа
от 10 814 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FP50 series is a EconoPIM 2 module with IGBT7 and emitter controlled diode and NTC or pre-applied thermal interface material.
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1497 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем