FS100R12N2T7B15BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V
![Фото 1/2 FS100R12N2T7B15BPSA1 IGBT, 100 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/340/DOC026340692.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/689/DOC043689171.jpg)
43 570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 570 руб.
Плати частями
от 10 894 руб. × 4 платежа
от 10 894 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FS100 is a EconoPACK 2 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 100А |
DC Ток Коллектора | 100А |
Выводы БТИЗ | Solder |
Конфигурация БТИЗ | Six Pack |
Линейка Продукции | EconoPACK 2 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT7(Trench Stop) |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1043 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем