FS150R12N2T7B15BPSA1 IGBT, 150 A 1200 V
![FS150R12N2T7B15BPSA1 IGBT, 150 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/216/DOC026216816.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 48 210 руб.
Плати частями
от 12 054 руб. × 4 платежа
от 12 054 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FS150 is a EconoPACK 2 module with IGBT7 and emitter controlled diode and NTC. Low VCEsat
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1059 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем