AIKQ120N75CP2XKSA1, IGBTs Y

Фото 1/2 AIKQ120N75CP2XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 980 руб.
от 10 шт.3 400 руб.
от 25 шт.3 070 руб.
от 50 шт.2 768 руб.
1 шт. на сумму 3 980 руб.
Плати частями
от 995 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018156422
Артикул: AIKQ120N75CP2XKSA1

Описание

Unclassified
AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT

Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo Pack EDT2™ IGBT features a 750V collector-emitter blocking voltage capability. The AIKQ120N75CP2 has smooth switching characteristics, a very low VCE(sat), 1.30V (typ.), and a very tight parameter distribution. The device also has a low gate charge QG and is co-packed with a fast soft recovery emitter controlled by 3 diodes.

Технические параметры

Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 750 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.3 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 150 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 240
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Tube
Part # Aliases: AIKQ120N75CP2 SP005416548
Pd - Power Dissipation: 682 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Collector Emitter Saturation Voltage 1.3В
Collector Emitter Voltage Max 750В
Continuous Collector Current 150А
Power Dissipation 682Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-247 Plus
Maximum Collector Emitter Voltage 750 V
Maximum Continuous Collector Current 120 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 170 W
Number of Transistors 3
Package Type TO247PLUS
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1939 КБ
Datasheet
pdf, 1457 КБ
Datasheet
pdf, 1451 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов