CSD18537NQ5A, Транзистор N-канал 60В 50A Q5A
![Фото 1/3 CSD18537NQ5A, Транзистор N-канал 60В 50A Q5A](https://static.chipdip.ru/lib/834/DOC029834384.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/468/DOC004468537.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC027214400.jpg)
34 руб.
от 50 шт. —
14 руб.
1 шт.
на сумму 34 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги1
Описание
транзисторы полевые импортные
NexFET™ Power MOSFETsTexas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Brand: | Texas Instruments | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Fall Time: | 3.2 ns | |
Forward Transconductance - Min: | 62 S | |
Id - Continuous Drain Current: | 50 A | |
Manufacturer: | Texas Instruments | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package / Case: | VSONP-8 | |
Pd - Power Dissipation: | 3.2 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 14 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 13 mOhms | |
Rise Time: | 4 ns | |
Series: | CSD18537NQ5A | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | NexFET | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14.4 ns | |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 724 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов