CSD19538Q3A, Транзистор N-канал 100В 15A Q3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 руб.
от 50 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 34 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
транзисторы полевые импортные
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.9A I(D), 100V, 0.072OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A(Ta) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 10V | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 454pF @ 50V | |
| Manufacturer | Texas Instruments | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
| Package / Case | 8-PowerVDFN | |
| Packaging | Tape & Reel(TR) | |
| Part Status | Active | |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W(Ta), 23W(Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V | |
| Series | NexFETв(ў | |
| Supplier Device Package | 8-VSONP(3x3.15) | |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250ВµA | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 14 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | VSONP | |
| Pin Count | 8 | |
| Вес, г | 0.276 |
Техническая документация
Документация
pdf, 352 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
