IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ

Фото 1/2 IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
от 10 шт.170 руб.
от 40 шт.166 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018326339
Артикул: IRF6645TRPBF

Описание

транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор полевой IRF6645TRPBF от производителя INFINEON представляет собой высокоэффективный компонент для современной электроники. Он выполнен в технологии N-MOSFET, что обеспечивает отличные характеристики при работе с током стока 5,7 А и напряжением сток-исток до 100 В. Мощность устройства достигает 42 Вт, что позволяет использовать его в различных сферах применения, от бытовой электроники до индустриальных систем управления. Монтаж данного компонента осуществляется методом SMD, что делает его идеальным выбором для поверхностного монтажа на печатные платы. Корпус DirectFET обеспечивает надежную теплоотдачу и уменьшает сопротивление, что увеличивает эффективность и срок службы транзистора. Продукт соответствует современным стандартам качества и надежности. Ищите этот компонент под кодом IRF6645TRPBF для обеспечения оптимальных характеристик ваших электронных проектов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 5.7
Напряжение сток-исток, В 100
Мощность, Вт 42
Корпус DirectFET

Технические параметры

Структура N-канал
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 25 A
Maximum Drain Source Resistance 0.035 Ω
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4.9V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DirectFET ISOMETRIC
Series DirectFET
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IRF6645TRPBF
pdf, 233 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов