NDS7002A, Транзистор N канал, 60В, 0.28А, 2Ом SOT-23
![Фото 1/5 NDS7002A, Транзистор N канал, 60В, 0.28А, 2Ом SOT-23](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757683.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/800/DOC029800859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC045066994.jpg)
73 руб.
1 шт.
на сумму 73 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,28А, Idm: 1,5А, 0,3Вт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 0.28(A) |
Drain-Source On-Volt | 60(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | SOT-23 |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Polarity | N |
Power Dissipation | 0.3(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Small Signal |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 280 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 1.3mm |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов