BC849CW_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE30V IC100mA SOT-323
2880 шт., срок 5-7 недель
49 руб.
от 10 шт. —
33 руб.
от 100 шт. —
20 руб.
от 1000 шт. —
8.72 руб.
1 шт.
на сумму 49 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
30V 250mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 15nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 30V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA, 100mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 420@2mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 250mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
