BIDD05N60T, IGBTs IGBT Discrete 600V, 5A in TO-252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
245 руб.
от 500 шт. —
193.66 руб.
1 шт.
на сумму 430 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications.
Технические параметры
| Configuration | Single Diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 5 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 82 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-252 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1468 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
