R6511END3TL1, MOSFETs 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 шт., срок 5-7 недель
780 руб.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
464 руб.
от 250 шт. —
430.90 руб.
1 шт.
на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.4 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2132 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
