IKW40N120CH7XKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 970 руб.
от 10 шт. —
1 610 руб.
от 25 шт. —
1 460 руб.
от 100 шт. —
1 249.54 руб.
1 шт.
на сумму 1 970 руб.
Плати частями
от 494 руб. × 4 платежа
от 494 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Infineon IGBT7 H7 discrete in TO-247 3pin package technology has been developed to fulfill the demand in applications focusing on decarbonisation such as solar photovoltaic, uninterruptible power supplies and battery chargers.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 333 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1400 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
