MMBT2907AW_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE-60V IC-600mA SOT-323
6750 шт., срок 5-7 недель
52 руб.
от 10 шт. —
35 руб.
от 100 шт. —
16 руб.
от 1000 шт. —
8.72 руб.
1 шт.
на сумму 52 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
60V 225mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 225mW |
| Transistor Type | PNP |
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.6V@50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 225mW |
| Transition Frequency (fT) | 200MHz |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBT2907AW_R1_00001
pdf, 287 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
