STGH30H65DFB-2AG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

STGH30H65DFB-2AG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
291 шт., срок 5-7 недель
1 040 руб.
от 10 шт.810 руб.
от 25 шт.758 руб.
от 100 шт.591.26 руб.
1 шт. на сумму 1 040 руб.
Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018641212
Артикул: STGH30H65DFB-2AG
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.

Технические параметры

Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 60 A
Maximum Gate Emitter Voltage 20V
Maximum Power Dissipation 260 W
Number of Transistors 1
Package Type H2PAK-2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 403 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.