STGH30H65DFB-2AG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
![STGH30H65DFB-2AG, IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/393/DOC033393794.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
291 шт., срок 5-7 недель
1 040 руб.
от 10 шт. —
810 руб.
от 25 шт. —
758 руб.
от 100 шт. —
591.26 руб.
1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа
от 260 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The STMicroelectronics product is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 260 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | H2PAK-2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 403 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.