C3M0040120J1, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1546 шт., срок 5-7 недель
7 270 руб.
от 10 шт. —
5 750 руб.
от 25 шт. —
5 360 руб.
от 50 шт. —
4 833.97 руб.
1 шт.
на сумму 7 270 руб.
Плати частями
от 1 819 руб. × 4 платежа
от 1 819 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology is in N-Channel Enhancement Mode. The Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs is a range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 64 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-263-7 |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 976 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
