BIDW50N65T, IGBTs IGBT Discrete 650V, 50A in TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 530 руб.
от 10 шт. —
1 190 руб.
от 25 шт. —
1 150 руб.
от 100 шт. —
871.33 руб.
1 шт.
на сумму 1 530 руб.
Плати частями
от 384 руб. × 4 платежа
от 384 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications.
Технические параметры
| Configuration | Single Diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 416 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1313 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
