C2M1000170J, SiC MOSFETs SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5493 шт., срок 5-7 недель
2 760 руб.
от 10 шт. —
2 540 руб.
от 25 шт. —
2 340 руб.
от 50 шт. —
1 972.45 руб.
1 шт.
на сумму 2 760 руб.
Плати частями
от 690 руб. × 4 платежа
от 690 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 1,7кВ, 5,3А, 78Вт, D2PAK-7, SiC
Технические параметры
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Максимальный непрерывный ток стока | 5,3 А |
Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
Максимальное рассеяние мощности | 78 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Ширина | 10.99мм |
Прямая активная межэлектродная проводимость | 0.82S |
Высота | 4.57мм |
Размеры | 10.23 x 10.99 x 4.57мм |
Материал транзистора | SiC |
Количество элементов на ИС | 1 |
Длина | 10.23мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Типичное время задержки включения | 4 нс |
Производитель | Wolfspeed |
Типичное время задержки выключения | 10,8 нс |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Максимальное сопротивление сток-исток | 1,4 Ω |
Максимальное напряжение сток-исток | 1700 В |
Число контактов | 7 |
Категория | Мощный МОП-транзистор |
Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 20 В |
Номер канала | Поднятие |
Типичная входная емкость при Vds | 200 пФ при 1000 В |
Тип канала | N |
Максимальное напряжение затвор-исток | -10 В, +25 В |
Прямое напряжение диода | 3.8V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Forward Diode Voltage | 3.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 1700 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 78 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 7 |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 20 V |
Width | 10.99mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.