RH6R025BHTB1, MOSFETs RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.
![RH6R025BHTB1, MOSFETs RH6R025BH is a power MOSFET with low-on resistance and High power package, suitable for switching.](https://static.chipdip.ru/lib/903/DOC044903011.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5900 шт., срок 5-7 недель
530 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
314 руб.
от 250 шт. —
268.71 руб.
1 шт.
на сумму 530 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power small mould package, suitable for switching.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 25 A |
Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | HSMT8 |
Pin Count | 8 |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2821 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.