G3R40MT12J, SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
![G3R40MT12J, SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389188.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
462 шт., срок 5-7 недель
4 840 руб.
от 10 шт. —
4 160 руб.
от 25 шт. —
3 730 руб.
от 100 шт. —
3 264.99 руб.
1 шт.
на сумму 4 840 руб.
Плати частями
от 1 210 руб. × 4 платежа
от 1 210 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
Power Dissipation | 374Вт |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Линейка Продукции | G3R |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 75А |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.