G3R40MT12J, SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET

G3R40MT12J, SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
462 шт., срок 5-7 недель
4 840 руб.
от 10 шт.4 160 руб.
от 25 шт.3 730 руб.
от 100 шт.3 264.99 руб.
1 шт. на сумму 4 840 руб.
Плати частями
от 1 210 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018669517
Артикул: G3R40MT12J

Описание

Unclassified

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.04Ом
Power Dissipation 374Вт
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора Single
Линейка Продукции G3R
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Напряжение Измерения Rds(on) 15В
Напряжение Истока-стока Vds 1.2кВ
Непрерывный Ток Стока 75А
Пороговое Напряжение Vgs 2.69В
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.