MT53E512M32D1ZW-046 WT:B, DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Z42M

MT53E512M32D1ZW-046 WT:B, DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA Z42M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 850 руб.
от 10 шт.4 270 руб.
от 25 шт.3 410 руб.
от 100 шт.3 035.44 руб.
1 шт. на сумму 4 850 руб.
Плати частями
от 1 214 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018670289
Артикул: MT53E512M32D1ZW-046 WT:B

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 16Gbit 512Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R/Tray

Технические параметры

Automotive Unknown
Chip Density (bit) 16G
DRAM Type Mobile LPDDR4 SDRAM
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Interface Type LVSTL
Lead Shape Ball
Maximum Access Time (ns) 3.5
Maximum Clock Rate (MHz) 4266
Maximum Operating Supply Voltage (V) 1.17|1.95
Maximum Operating Temperature (°C) 85
Minimum Operating Supply Voltage (V) 1.06|1.7
Minimum Operating Temperature (°C) -25
Mounting Surface Mount
Number of Bits/Word (bit) 32
Number of I/O Lines (bit) 32
Number of Internal Banks 8
Number of Words per Bank 64M
Operating Current (mA) 400
Organization 512Mx32
Part Status Active
PCB changed 200
Pin Count 200
PPAP Unknown
Process Technology CMOS
Standard Package Name BGA
Supplier Package TFBGA
IC Case / Package TFBGA
Memory Configuration 512M x 32bit
Количество Выводов 200вывод(-ов)
Линейка Продукции PW Series
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальная Тактовая Частота 2.133ГГц
Минимальная Рабочая Температура -25°C
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Номинальное Напряжение Питания 1.1В
Плотность Памяти 16Гбит
Тип DRAM Mobile LPDDR4
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем