AIKB30N65DF5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

AIKB30N65DF5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 340 руб.
от 10 шт.1 110 руб.
от 25 шт.1 010 руб.
от 100 шт.816.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 340 руб.
Плати частями
от 335 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018674003
Артикул: AIKB30N65DF5ATMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 55А
Power Dissipation 188Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet AIKB30N65DF5ATMA1
pdf, 1602 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов