AIKB30N65DF5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
![AIKB30N65DF5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 340 руб.
от 10 шт. —
1 110 руб.
от 25 шт. —
1 010 руб.
от 100 шт. —
816.27 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 340 руб.
Плати частями
от 335 руб. × 4 платежа
от 335 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 55А |
Power Dissipation | 188Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet AIKB30N65DF5ATMA1
pdf, 1602 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов