2N5551 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
1358 шт., срок 5-7 недель
210 руб.
от 10 шт. —
170 руб.
от 100 шт. —
122 руб.
от 500 шт. —
92.96 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 300MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Power - Max | 625mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | RoHS non-compliant |
Supplier Device Package | TO-92 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2N5551 TIN/LEAD
pdf, 644 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.