CAS120M12BM2, Discrete Semiconductor Modules 1200V, 120A, SiC Half Bridge Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
93 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
129 900 руб.
от 10 шт. —
116 500 руб.
1 шт.
на сумму 129 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Silicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 2.4V |
| Maximum Continuous Drain Current | 193 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 30 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.6V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 925 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | Half Bridge |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Configuration | Series |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 378 nC @ 20 V |
| Width | 61.4mm |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
