FGH4L40T120LQD, IGBTs IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 070 руб.
от 10 шт. —
1 720 руб.
от 25 шт. —
1 640 руб.
от 100 шт. —
1 370.63 руб.
1 шт.
на сумму 2 070 руб.
Плати частями
от 519 руб. × 4 платежа
от 519 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The ON Semiconductor 1200 V, 40 A ultra field stop IGBT. This IGBT uses a fast switching co-packed diode making it ideal for use in hard-switching applications where EON, IRRM and trr are important factors determining the losses.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 153 W |
| Number of Transistors | 30 |
| Package Type | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 431 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
