R6509END3TL1, MOSFETs 650V 9A TO-252, Low-noise Power MOSFET
![Фото 1/2 R6509END3TL1, MOSFETs 650V 9A TO-252, Low-noise Power MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/350/DOC025350444.jpg)
6990 шт., срок 5-7 недель
630 руб.
от 10 шт. —
490 руб.
от 100 шт. —
371 руб.
от 250 шт. —
331.65 руб.
1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.585 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Drain Source On State Resistance | 0.53Ом |
Power Dissipation | 94Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6509END3TL1
pdf, 2145 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.