G3R75MT12K, SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET

G3R75MT12K, SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1782 шт., срок 5-7 недель
2 900 руб.
от 10 шт.2 490 руб.
от 30 шт.2 230 руб.
от 120 шт.1 947.85 руб.
1 шт. на сумму 2 900 руб.
Плати частями
от 725 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018689231
Артикул: G3R75MT12K

Описание

Unclassified

Технические параметры

Case TO247-4
Drain current 29A
Drain-source voltage 1.2kV
Features of semiconductor devices Kelvin terminal
Gate charge 54nC
Gate-source voltage -5…15V
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting THT
On-state resistance 75mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 207W
Pulsed drain current 80A
Technology G3R™, SiC
Type of transistor N-MOSFET

Техническая документация

Datasheet
pdf, 871 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.