CAB425M12XM3, Discrete Semiconductor Modules 1.2kV 425A SiC HalfBridge Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
21 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
172 100 руб.
от 10 шт. —
169 600 руб.
1 шт.
на сумму 172 100 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Технические параметры
| Channel Type | Dual N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0032Ом |
| Конфигурация МОП-транзистора | Half Bridge |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 450А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0032Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 767 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
