DTC123YE3HZGTL, Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
![Фото 1/2 DTC123YE3HZGTL, Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC001801012.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/928/DOC044928086.jpg)
5900 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
47 руб.
от 1000 шт. —
22.26 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
The ROHM NPN leak absorption digital transistor this is the standard product of digital transistors which ROHM invented and marketed first in the world.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 33hFE |
Power Dissipation | 150мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | Single NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | EMT3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1176 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.