DTC123YE3HZGTL, Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

Фото 1/2 DTC123YE3HZGTL, Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5900 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт.87 руб.
от 100 шт.47 руб.
от 1000 шт.22.26 руб.
1 шт. на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8018694841
Артикул: DTC123YE3HZGTL
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
The ROHM NPN leak absorption digital transistor this is the standard product of digital transistors which ROHM invented and marketed first in the world.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 33hFE
Power Dissipation 150мВт
Квалификация AEC-Q101
Линейка Продукции PW Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора Single NPN
Резистор База-эмиттер R2 10кОм
Резистор На входе Базы R1 2.2кОм
Стиль Корпуса Транзистора SOT-416
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Mounting Type Surface Mount
Package Type EMT3
Pin Count 3
Transistor Type NPN

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1176 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.