R6055VNZC17, MOSFETs TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
567 шт., срок 5-7 недель
2 850 руб.
от 10 шт. —
2 440 руб.
от 25 шт. —
2 160 руб.
от 100 шт. —
1 681.35 руб.
1 шт.
на сумму 2 850 руб.
Плати частями
от 714 руб. × 4 платежа
от 714 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 23 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PF |
| Pin Count | 3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2276 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
