AIGB15N65F5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
![AIGB15N65F5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172379.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
840 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 25 шт. —
625 руб.
от 100 шт. —
473.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 840 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 30А |
Power Dissipation | 105Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов