AIGB15N65F5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES

AIGB15N65F5ATMA1, IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
840 руб.
от 10 шт.660 руб.
от 25 шт.625 руб.
от 100 шт.473.97 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 840 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018701223
Артикул: AIGB15N65F5ATMA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.6В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 30А
Power Dissipation 105Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов