IKD15N60RATMA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 15А, 250Вт, DPAK

Фото 1/3 IKD15N60RATMA1, Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 15А, 250Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
500 руб.
от 5 шт.420 руб.
от 25 шт.322 руб.
от 100 шт.268.20 руб.
1 шт. на сумму 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8018720532
Артикул: IKD15N60RATMA1

Описание

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with integrated diode in packages offering space saving advantage.

Технические параметры

Case DPAK
Collector current 15A
Collector-emitter voltage 600V
Features of semiconductor devices integrated anti-parallel diode
Gate charge 90nC
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package reel, tape
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting SMD
Power dissipation 250W
Pulsed collector current 45A
Technology TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time 319ns
Turn-on time 26ns
Type of transistor IGBT
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 30 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Power Dissipation 250 W
Package Type PG-TO252-3
Pin Count 3
Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 30А
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP RC
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.38

Техническая документация

Datasheet IKD15N60RATMA1
pdf, 1808 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов