BIDNW30N60H3, IGBTs IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 080 руб.
от 10 шт. —
840 руб.
от 25 шт. —
801 руб.
от 100 шт. —
610.41 руб.
1 шт.
на сумму 1 080 руб.
Плати частями
от 270 руб. × 4 платежа
от 270 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications.
Технические параметры
| Configuration | Single Diode |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 230 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1318 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
