MMBTA06W_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR VCE80V IC500mA SOT-323
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2900 шт., срок 5-7 недель
95 руб.
от 10 шт. —
66 руб.
от 100 шт. —
26 руб.
от 1000 шт. —
16.64 руб.
1 шт.
на сумму 95 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
80V 225mW 100@100mA,1V 500mA NPN SOT-323-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 225mW |
Transistor Type | NPN |
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 80V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@10mA, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@100mA, 1V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transition Frequency (fT) | 100MHz |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet MMBTA06W_R1_00001
pdf, 273 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.