R6509KND3TL1, MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.
![R6509KND3TL1, MOSFETs High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172284.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5000 шт., срок 5-7 недель
520 руб.
от 10 шт. —
410 руб.
от 100 шт. —
306 руб.
от 250 шт. —
273.55 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.53Ом |
Power Dissipation | 94Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 9А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6509KND3TL1
pdf, 2270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.