DTC123JE3HZGTL, Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
![Фото 1/2 DTC123JE3HZGTL, Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC001801012.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/928/DOC044928086.jpg)
5694 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
87 руб.
от 100 шт. —
47 руб.
от 1000 шт. —
22.26 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
The ROHM NPN leak absorption digital transistor is automotive digital transistor. Built-in bias resistors, R1 = 2.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 80hFE |
Power Dissipation | 150мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | Single NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 47кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | EMT3 |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1138 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.