PJW4P06A_R2_00001, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
43984 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
72 руб.
от 500 шт. —
53.48 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Drain current | -4A |
| Drain-source voltage | -60V |
| Gate charge | 10nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 3.1W |
| Pulsed drain current | -16A |
| Type of transistor | P-MOSFET |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
