AOK60B65H1, Транзистор IGBT, 650В, 60А, 250Вт, TO247, Eвыкл 1,17мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 300 руб.
от 3 шт. —
1 150 руб.
от 10 шт. —
894 руб.
1 шт.
на сумму 1 300 руб.
Плати частями
от 325 руб. × 4 платежа
от 325 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Collector current | 60A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.88V |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 90nC |
| Gate-emitter voltage | ±30V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 250W |
| Pulsed collector current | 180A |
| Turn-off switching energy | 1.17mJ |
| Turn-off time | 268ns |
| Turn-on switching energy | 2.42mJ |
| Turn-on time | 118ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 528 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
