CSD18511KCS, Транзистор: N-MOSFET
![CSD18511KCS, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/531/DOC006531399.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 30 шт. —
256 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 430 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
40V 194A 2.6mΩ@100A,10V 188W 2.4V@250uA null TO-220 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 194A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6mΩ@100A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 40V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.94nF@20V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 188W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 64nC@10V |
Type | null |
Id - непрерывный ток утечки | 194 A |
Pd - рассеивание мощности | 188 W |
Qg - заряд затвора | 64 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 6 ns |
Время спада | 3 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 249 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | CSD18511KCS |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 17 ns |
Типичное время задержки при включении | 8 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2.2 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов