GC50MPS33H, Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
58 610 руб.
от 10 шт. —
51 570 руб.
1 шт.
на сумму 58 610 руб.
Плати частями
от 14 654 руб. × 4 платежа
от 14 654 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
3300V SiC MOSFETsGeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway. The 3300V SiC MOSFETs deliver low conduction losses at all temperatures, allowing superior robustness and system reliability.
Технические параметры
| Brand: | GeneSiC Semiconductor |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| If - Forward Current: | 50 A |
| Manufacturer: | GeneSiC Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-2 |
| Packaging: | Tube |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Series: | SiC Schottky MPS |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Technology: | SiC |
| Type: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 3.3 kV |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 662 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
