2SK209-BL(TE85L,F), JFET N-Ch 10mA -50V FET 150 mW Audio LNA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46767 шт., срок 4-7 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Описание Транзистор N-JFET, полевой, 14мА, 150мВт, SC59, Igt 10мА Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | JFET |
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 mA |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-346-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Series: | 2SK209 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet 2SK209-Y(TE85L,F)
pdf, 278 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
