N-Channel MOSFET, 6 A, 45 V, 8-Pin SOP SH8M24TB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2500 шт., срок 6 недель
620 руб.
Кратность заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 3 100 руб.
Плати частями
от 775 руб. × 4 платежа
от 775 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
ROHM N channel and N channel Power MOSFET with a drive voltage of 4.5 Volts and fast switching speed.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOP-8 |
| Part # Aliases: | SH8M24 |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 46 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2373 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
