FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 4,8А, 51Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

490 руб.

от 10 шт. — 400 руб.

1 шт. на сумму 490 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8020014546

Артикул: FQD10N20LTM

Транзисторы

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 4,8А, 51Вт, DPAK Характеристики

Вид	MOSFET
Тип	полевой
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.29Ом
Power Dissipation	51Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	QFET
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	200В
Непрерывный Ток Стока	7.6А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	51Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.29Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	0.03

pdf, 907 КБ

Мы рекомендуем