NXH40B120MNQ0SNG IGBT Module Q0PACK - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 36 850 руб.
Плати частями
от 9 214 руб. × 4 платежа
от 9 214 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 Power Module is a power module containing a dual boost stage.
Технические параметры
| Maximum Power Dissipation | 118 W |
| Number of Transistors | 2 |
| Channel Type | Dual N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Power Dissipation | 118Вт |
| Количество Выводов | 22вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | DualPack |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 38А |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Рассеиваемая Мощность | 118Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
