2N7002
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
46 руб.
от 10 шт. —
29 руб.
от 28 шт. —
21.12 руб.
2 шт.
на сумму 200 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги17
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 800мА, 200мВт, SOT23
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115mA(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Family | Transistors-FETs, MOSFETs-Single |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | - |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Packaging | Digi-Reel® |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 500mA, 10V |
| Series | - |
| Standard Package | 1 |
| Supplier Device Package | SOT-23(TO-236AB) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 115 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.3mm |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 0.08 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 115 mA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | 2N7002_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 Ohms |
| Series: | 2N7002 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
2N7002 datasheet
pdf, 137 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 285 КБ
Datasheet 2N7000
pdf, 757 КБ
Datasheet 2N7002,215
pdf, 109 КБ
2N7000, 2N7002, NDS7002A
pdf, 286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
