IGW30N65L5XKSA1 IGBT, 85 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 440 руб.

Кратность заказа 5 шт.

5 шт. на сумму 7 200 руб.

Плати частями
от 1 800 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8020197499

Артикул: IGW30N65L5XKSA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Infineon fifth generation insulated-gate bipolar transistor with low saturation voltage. High Efficiency

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	85 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	227 W
Package Type	PG-TO247-3
Pin Count	3
Вес, г	1

pdf, 1617 КБ

Мы рекомендуем