RF6C055BCTCR, MOSFETs Pch -20V -5.5A Si MOSFET
![RF6C055BCTCR, MOSFETs Pch -20V -5.5A Si MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/576/DOC006576608.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1933 шт., срок 5-7 недель
210 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
116 руб.
от 500 шт. —
87.64 руб.
1 шт.
на сумму 210 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Silicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 70 ns |
Forward Transconductance - Min: | 7 S |
Id - Continuous Drain Current: | 5.5 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Part # Aliases: | RF6C055BC |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 15.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.5 mOhms |
Rise Time: | 34 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
Вес, г | 0.01 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.