STD35NF06LT4-VB
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
2111 шт. со склада г.Москва
51 руб.
Мин. кол-во для заказа 62 шт.
от 141 шт. —
43 руб.
от 594 шт. —
37.20 руб.
62 шт.
на сумму 3 162 руб.
Плати частями
от 792 руб. × 4 платежа
от 792 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
60V 50A 12mΩ@10V,50A N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
кол-во в упаковке | 2500 |
Continuous Drain Current (Id) | 50A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 12mΩ@10V, 50A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
Power Dissipation (Pd) | - |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
Type | N Channel |
Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 390 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.